По-новому подходит к проблеме группа исследователей под руководством Джованни Виньяле, профессора Университета Миссури и эксперта по физике плотного вещества. Новое исследование ставит своей целью разработку гибридных материалов, которые могли бы использовать и как память, и для логических функций. Согласно исследователям, такой материал проложит дорогу сверхскоростной электронике.
Группа исследователей, состоящая из специалистов из различных колледжей, получила часть 6,5-миллионного гранта на дальнейшее изучение наномагнетизма от Министерства обороны США.
Поскольку создать гибридный материал на основе кремния было бы очень сложно, исследователи предпочли сосредоточиться на добавлении магнитных свойств в перспективные виды полупроводников, в частности, органических полупроводников.
По словам ученых, выгода от использования таких материалов несомненна. По их мнению, гибридные материалы не только увеличат скорость устройств, но и сделают сами устройства компактнее и экономичнее. Более того, стоимость изготовления микросхем из гибридных материалов будет меньше стоимости традиционных полупроводниковых микросхем, что сделает их более доступными для потребителя.
«В соответствии с нашим подходом объединение магнитных и немагнитных компонентов будет осуществляться через магнитное поле или протекание спин электрона, которое является фундаментальным свойством электрона и отвечает за большинство магнитных явлений, — объясняет Виньяле. — Проектируемые нами гибридные устройства позволят непосредственно интегрировать память и логический функционал, высокоскоростные оптические коммуникации и коммутацию, а также выведут на новый уровень сенсорные устройства».
Безусловно, совершенствование подобных материалов и проникновение их в потребительскую электронику займет некоторое время, но одно из преимуществ нового подхода в том, что теоретически такие микросхемы можно производить на существующем оборудовании, в то время как квантовые или сверхпроводящие компьютеры требует совершенно новых производственных технологий.
Комментарии: